机译:氟化HfO 2 sub> / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:氟化硅酸盐玻璃钝化层对HfO_2 / SiON栅堆叠nMOSFET的电学特性和介电可靠性的影响
机译:氟化$ hbox {HfO} _ {2} / hbox {SiON} $栅堆叠nMOSFET的电荷陷阱和去陷阱行为
机译:使用氟化硅酸盐玻璃钝化层的HFO_2 / SION栅极堆叠NMOSFET的可靠性改进
机译:氮化钛/二氧化硅栅叠层的材料和电气特性。
机译:氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:ALD锡覆盖层对N-FINFET与ALD HFO2 / TIN覆盖/ Tial栅极堆叠的PBTI特性的影响